貼片電容使用企業(yè)在購(gòu)入MLCC后的入庫(kù)檢驗(yàn)是一個(gè)必要的流程和步驟。但是由于對(duì)疊層陶瓷貼片電容的檢驗(yàn)測(cè)試條件有些人員可能了解的不夠準(zhǔn)確，因而導(dǎo)出測(cè)試結(jié)果與標(biāo)稱(chēng)值有偏差。南...
1N4148開(kāi)關(guān)二極管是一種利用二極管導(dǎo)通與截止特性達(dá)到關(guān)斷與導(dǎo)通電路的目的。開(kāi)關(guān)二極管是專(zhuān)門(mén)用于高速開(kāi)關(guān)。與一般的二極管相比，開(kāi)關(guān)二極管在導(dǎo)通與截止的速率上遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于一般...
發(fā)光二極管Light-Emitting Diode，簡(jiǎn)稱(chēng)LED。LED之所以可以發(fā)光，是因?yàn)殡娏髁鬟^(guò)LED時(shí)，產(chǎn)生了電致發(fā)光效應(yīng)(電流流過(guò)物質(zhì)或物質(zhì)在強(qiáng)電場(chǎng)下的發(fā)光現(xiàn)象)。LED發(fā)光的顏色則是與其中摻雜的元素...
集成電路(IC)是在光刻工藝發(fā)明之后出現(xiàn)的一種技術(shù)。由于光刻工藝的出現(xiàn)，實(shí)現(xiàn)電路的微型化成為了可能。用光刻技術(shù)可以將具有一定功能的電路所需的半導(dǎo)體、電阻、電容等元件及它...
一般的鋁解電容是將一個(gè)鋁箔卷繞的芯子（芯子由陽(yáng)極箔、浸透電解質(zhì)的分隔紙和陰極箔）構(gòu)成，浸漬在液態(tài)電解質(zhì)中（少數(shù)SMT的鋁電容是固態(tài)電解質(zhì)），引出兩個(gè)端子并包封在金屬外...
瓷片電容104是指電容量為100nF（0.1uF），長(zhǎng)用作旁路或耦合或于絕緣電阻低的阻抗電路中。以下介紹風(fēng)華高科最受市場(chǎng)歡迎的兩款104瓷片電容詳細(xì)參數(shù)，分別是CS1-F6Y5V2B104ZSPW和CT1-F5Y5P2A1...
一 鋁解電容的構(gòu)成 一般的鋁解電容是將一個(gè)鋁箔卷繞的芯子（芯子由陽(yáng)極箔、浸透電解質(zhì)的分隔紙和陰極箔）構(gòu)成，浸漬在液態(tài)電解質(zhì)中（少數(shù)SMT的鋁電容是固態(tài)電解質(zhì)），引出兩個(gè)...
電表中的元器件選型...
貼片電阻從外形上可以分為圓柱形和矩形長(zhǎng)方體兩類(lèi)，如何通過(guò)貼片電阻本體打標(biāo)(絲印)或色環(huán)識(shí)別其主要參數(shù)特性如標(biāo)稱(chēng)阻值呢？本文將分別加以介紹。...
VJ系列貼片電容優(yōu)點(diǎn) ： 專(zhuān)業(yè)：專(zhuān)為高溫應(yīng)用環(huán)境設(shè)計(jì)。該MLCC采用X8R電介質(zhì)，可在+150℃高溫下工作 保持電容在高溫下容量溫度定，在-55℃～+150℃溫度范圍內(nèi)電容溫度系數(shù)(TCC)為15%。 采...
1、首先， 請(qǐng)確定電容器的使用和安裝條件必須符合樣本所供選擇的產(chǎn)品規(guī)格中所規(guī)定的條件； 2、工作溫度和施加的紋波電流必須符合規(guī)范中的要求。 2...
風(fēng)華貼片壓敏電阻的研發(fā)能力 2002年風(fēng)華高科率先在國(guó)內(nèi)自主開(kāi)發(fā)多層片式壓敏電阻器并形成產(chǎn)業(yè)化，期間獲得國(guó)家經(jīng)貿(mào)委資金扶助并形成規(guī)?；a(chǎn)。 ...
部分人對(duì)貼片電容材質(zhì)或者成為介質(zhì)的問(wèn)題不是特別清楚。通過(guò)使用不同的材料配比實(shí)現(xiàn)不同的精度和溫度系數(shù)的。(這里我們提到的貼片電容是指疊層陶瓷...
疊層片式陶瓷電容器（MLCC）是目前電子產(chǎn)品中使用最為廣泛的電容器類(lèi)型之一，技術(shù)成熟度高，穩(wěn)定性好，價(jià)格低廉。盡管是最簡(jiǎn)單的被動(dòng)元器件之一，在...
貼片電容使用企業(yè)在購(gòu)入MLCC后的入庫(kù)檢驗(yàn)是一個(gè)必要的流程和步驟。但是由于對(duì)疊層陶瓷貼片電容的檢驗(yàn)測(cè)試條件有些人員可能了解的不夠準(zhǔn)確，因而導(dǎo)出...
MLCC產(chǎn)品容值偏低現(xiàn)象 針對(duì)經(jīng)常有客戶(hù)問(wèn)及容值偏低的問(wèn)題，本文從儀器差異、測(cè)試環(huán)境、測(cè)試條件、材料老化等方面對(duì)此作出完整之說(shuō)明及解釋,以期對(duì)...
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